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MOS驱动电流计算的三种方法

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文章出处:骊微电子责任编辑:admin人气:-发表时间:2016-07-05 14:35
    在光耦驱动的电路中,针对MOS管的驱动电流是需要特别进行估算的。当然估算的方式不止一种,一般常用的估算方式有3种方式,本文就将对这三种估算方式进行先容。并对每种估算方式进行讲解,感兴趣的朋友快来看一看吧。
 
    公式估算法
 
    可以使用如下公式对MOS管的驱动电流进行估算:
 
    Ig=Qg/Ton
 
    其中:Ton=t3-t0≈td(on)+tr
 
    td(on):MOS导通延迟时间,从有驶入电压上升到10%,开始到VDS下降到其幅值90%的时间。
 
    Tr:上升时间。输出电压VDS从90%下降到其幅值10%的时间。
 
    Qg=(CEI)(VGS)或Qg=Qgs+Qgd+Qod(可在datasheet中找到)。
 
    公式估算法的变形
 
    密勒效应时间(开关时间)Ton/off=Qgd/Ig;
 
    Ig=[Vb-Vgs(th)]/Rg;
 
    Ig:MOS栅极驱动电流;Vb:稳态栅极驱动电压;
 
    曲线估算发
 
    以IR的IRF640为例,看DATASHEET里有条TotalGateCharge曲线。该曲线先上升然后几乎水平再上升。水平那段是管子开通(密勒效应)。假定设计者希翼在0.2us内使管开通,估计总时间(先上升然后水平再上升)为0.4us,由Qg=67nC和0.4us可得:67nC/0.4us=0.1675A。当然这是峰值,仅在管子开通和关短的各0.2us里有电流,其他时间几乎没有电流,平均值很小,但如果驱动芯片不能输出此峰值,管子的开通就会变慢。
 
    本文主要为大家先容了3种目前较为常见的对于光耦应用中MOS管进行估算的方法。每种方法都有其自身的特点,根据不同的情况,设计者可以根据公式或曲线模式来对MOS管的取值进行估算。
 
 
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