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SAMSUNG正式宣布业界第一的10nm芯片量产

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文章出处:骊微电子责任编辑:admin人气:-发表时间:2016-10-17 14:25
    SAMSUNG今天在首尔宣布,正式开始10nm FinFET工艺SoC芯片的量产工作,进度业界第一,也就是领先台积电和Intel。
 
    去年,SAMSUNG率先拿出了首个FinFET工艺的移动AP(应用处理器),也就是大家熟知,立下赫赫战功的Exynos 7420。
 
    据悉,SAMSUNG目前的10nm工艺是10LPE(low-power early),也就是早期低功耗版,这一点和14nm时代的进程一致,后续还会有10nm LPP(low power plus, advanced power processing),预计明年下半年量产,可用于更高性能的芯片。
 
    按照SAMSUNG给出的参考值,相较14nm,10nm晶体管面积效率提升30%,性能提升27%,功耗降低40%。韩国巨头还表示,为了克服比例限制,边缘技术依然沿用了之前的三重切削,以保证节点双向链路的灵活性。
 
    SAMSUNG称,明年初会正式发布首款消费级的10nm FinFET芯片,毫无疑问,Exynos 8895和骁龙830系列芯片可以放心用了,今天传出的高通10nm转单台积电应该是“不攻自破”了。
 
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